Карбид кремния становится ключевым элементом энергоснабжения ИИ‑дата‑центров
Мировой рынок устройств на основе silicon carbide (SiC) может вырасти примерно до $11 млрд к 2031 году. Среднегодовой рост оценивается более чем в 20%. Спрос подпитывают сразу несколько процессов: электрификация в разных отраслях, развитие инфраструктуры искусственного интеллекта и расширение использования возобновляемой энергетики.
Главный драйвер по-прежнему рынок электромобилей. SiC всё чаще применяют в инверторах следующего поколения, а также в быстро распространяющейся архитектуре платформ 800V. Причины понятны: выше эффективность, больше запас хода и лучше плотность мощности. Технология также становится ключевой для инфраструктуры высокомощной быстрой зарядки EV.
Заметный вклад в рост спроса дают и дата‑центры. Расширение инфраструктуры AI повышает потребность в мощных источниках питания на базе SiC, особенно в системах мощностью свыше 3kW и в архитектурах следующего поколения. Материал способен работать при более высоких напряжениях, температурах и частотах, при этом теряет меньше энергии. Поэтому его всё активнее рассматривают для энергоёмких вычислительных кластеров AI.
В сегменте power SiC ключевой стратегией остаётся вертикальная интеграция. Крупные IDMs, STMicroelectronics, Wolfspeed, ROHM и Onsemi, увеличивают собственные мощности по выпуску пластин или заключают долгосрочные контракты на поставки. Infineon и Bosch продолжают закупать пластины и эпитаксиальные структуры у внешних поставщиков, среди них SiCC и TankeBlue. Отдельный этап развития связан с переходом на пластины 200mm. Wolfspeed, Infineon и Bosch планируют массовое производство начиная с 2026 года, параллельно расширяя производственные мощности.
В отрасль уже инвестировано более $30 млрд. Значительная часть новых производств появляется в Азии, особенно в Китае. Китайские компании укрепляют позиции как среди производителей пластин, включая SiCC и TankeBlue, так и среди разработчиков устройств, например UNT. Кроме того, на ранних этапах R&D китайские производители показали несколько типов 12-inch пластин. Это указывает на стремление занять заметную роль в следующем этапе развития технологий SiC.
Ключевые факты
Рынок устройств на карбиде кремния (SiC) может достичь около $11 млрд к 2031 году при среднегодовом росте более 20%.
Спрос на SiC растет со стороны AI‑инфраструктуры и дата‑центров, особенно для источников питания высокой мощности в системах свыше 3 кВт.
Wolfspeed, Infineon и Bosch планируют массовое производство SiC‑пластин диаметром 200 мм начиная с 2026 года.
Глобальные инвестиции в мощности SiC превышают $30 млрд; китайские компании, включая SiCC, TankeBlue и UNT, наращивают долю рынка и демонстрируют прототипы 12‑дюймовых пластин на ранних стадиях R&D.