В Университете Иллинойса предложили способ создания трехмерных кремниевых микросхем
Исследователи из Университета Иллинойса представили технологию трехмерных кремниевых микросхем, позволяющую размещать транзисторы друг над другом. Такой подход увеличивает плотность электронных компонентов и может повлиять на дальнейшее развитие вычислительных систем и ИИ, а также продлить действие закона Мура.
Работа описывает метод изготовления полноценных 3D‑чипов без применения экзотических материалов и высокотемпературных процессов, которые долгое время считались главным препятствием для массового внедрения подобных решений. Статья под названием «Монолитная трехмерная интегральная схема на кремниевых транзисторах» опубликована в журнале Nature.
В основе технологии используются сверхтонкие кремниевые мембраны толщиной около 10 нанометров. Их переносят на уже готовые слои схем при температуре ниже 200°C, что позволяет не повреждать расположенные ниже элементы и формировать новые уровни транзисторов поверх существующих. Вместо традиционных MOSFET‑транзисторов исследователи применили беспереходные (junctionless) транзисторы.
Ключевые факты
Исследователи из Университета Иллинойса представили технологию трехмерных кремниевых микросхем с размещением транзисторов друг над другом.
Статья «Монолитная трехмерная интегральная схема на кремниевых транзисторах» опубликована в журнале Nature.
В технологии используются сверхтонкие кремниевые мембраны толщиной около 10 нанометров.
Мембраны переносятся на готовые слои схем при температуре ниже 200°C, а вместо MOSFET применяются беспереходные (junctionless) транзисторы.