Моделирование показало возможность уменьшения транзисторов ниже рубежа 2 нм
Корейские исследователи смоделировали момент, когда квантовое туннелирование начинает мешать нормальной работе микросхем. Долгое время именно этот эффект считали одной из причин, по которой дальнейшее уменьшение транзисторов упирается в физические ограничения примерно на уровне 2 нм.
Моделирование показало, что такой предел нельзя считать универсальным для всех архитектур. По расчетам ученых, некоторые схемы можно уменьшать еще сильнее, даже с учетом влияния квантового туннелирования.
Авторы работы предполагают, что транзисторы все же можно масштабировать дальше, за пределы размеров, которые раньше считались практически недостижимыми из-за физических ограничений.
Ключевые факты
Корейские исследователи смоделировали момент, когда квантовое туннелирование начинает мешать работе микросхем.
В модели рассматривалась предполагаемая физическая граница миниатюризации транзисторов около 2 нм.
Результаты показали, что некоторые схемы транзисторов можно уменьшать ниже этого уровня.