Как сообщает Tom's Hardware, 23 августа на Hot Chips 2026 Рагху Шрираманени, Micron HBM Design Architecture Fellow, рассказал, что разрыв между HBM и DDR5 по требуемой площади кремния растёт с каждым поколением. При одинаковой ёмкости HBM сейчас занимает примерно втрое больше площади пластины. Сократить эту разницу без потери производительности, по словам Шрираманени, невозможно, а Micron не намерена соглашаться на такой компромисс.
Кристалл HBM4 содержит 256 банков, у DDR5 их 32. Один кристалл HBM3E обеспечивает пропускную способность 256 ГБ/с, один кристалл DDR5 выдаёт около 8 ГБ/с. В корпусе с двумя GPU на память приходится примерно 90% площади кремния. Это ориентировочно в восемь раз больше площади, которую занимают кристаллы GPU.
В пересчёте на бит HBM продаётся примерно в пять раз дороже DDR5. Контрактные цены на обычную DRAM в первом квартале 2026 года выросли на 90–95% по сравнению с предыдущим кварталом, во втором прибавили ещё 58–63%. В третьем квартале рост замедлился до 13–18%.
Согласно презентации Micron, производительность вычислений увеличивается примерно втрое каждые два года, а пропускная способность HBM растёт менее чем вдвое. HBM4 использует интерфейс на 2 048 линий. Компоненты Micron работают на скорости выше 11 Гбит/с на контакт и обеспечивают более 2,8 ТБ/с на стек. Шрираманени также заявил, что существует путь к 16 слоям DRAM, но дальнейшее увеличение числа слоёв потребует дополнительной работы.
Ключевые факты
Один кристалл HBM3E обеспечивает 256 ГБ/с против примерно 8 ГБ/с у одного кристалла DDR5.
В корпусе с двумя GPU память занимает около 90% площади кремния, примерно в восемь раз больше площади кристаллов GPU.
Контрактные цены на обычную DRAM выросли на 90–95% в первом квартале 2026 года и на 58–63% во втором квартале.
HBM4 использует интерфейс на 2 048 линий, а компоненты Micron обеспечивают более 2,8 ТБ/с на стек.
Вопросы и ответы
- Насколько HBM дороже обычной памяти?
HBM продаётся примерно в пять раз дороже DDR5 в пересчёте на бит. При этом контрактные цены на обычную DRAM выросли на 90–95% в первом квартале 2026 года и ещё на 58–63% во втором.
- Что даёт HBM в обмен на более высокую цену и расход кремния?
Один кристалл HBM3E обеспечивает 256 ГБ/с против примерно 8 ГБ/с у DDR5, то есть в 32 раза больше. HBM4 Micron выдаёт более 2,8 ТБ/с на стек через интерфейс на 2 048 линий.
- Что это меняет в компоновке ИИ-ускорителей?
В корпусе с двумя GPU память занимает около 90% площади кремния, примерно в восемь раз больше самих кристаллов GPU. Micron считает, что сократить разницу с DDR5 без потери производительности невозможно.
Контекст по теме
- Дефицит DRAM из‑за спроса на AI повышает цены не только на смартфоны, но и на роутеры и бытовую электронику30 июня 2026 г.
- TSMC готовит повышение цен на «продвинутые» техпроцессы, включая 7nm и 5nm24 июня 2026 г.
- Цены на DDR2 выросли до 60% на фоне дефицита DRAM, вызванного спросом на ИИ22 июня 2026 г.
- AMD ожидает сохранения высоких цен на DDR5 до 2028 года на фоне ИИ-бума10 июня 2026 г.