Kioxia начала поставки инженерных образцов флеш-памяти BiCS FLASH десятого поколения. Новые чипы предназначены для дата-центров и систем искусственного интеллекта. Память построена на 332 слоях и использует 1-терабитные ячейки TLC.
Скорость интерфейса NAND в новом поколении достигает 4,8 Гбит/с, это на 33% выше по сравнению с предыдущими решениями. Плотность хранения увеличилась на 59%, а энергоэффективность при чтении и записи улучшили на 30%. В чипах используются технологии CBA и OPS, которые Kioxia уже применяла в восьмом поколении.
Как сообщает Overclockers.ru, компания параллельно разрабатывала девятое и десятое поколения памяти. Девятое поколение рассчитано на бюджетные решения: в нем используются 120 слоев и 512-гигабитные ячейки. Десятое поколение, напротив, ориентировано на максимальную емкость и производительность.
Массовое производство планируют развернуть на заводе в префектуре Ивате в Японии. При этом сроки запуска серийного выпуска Kioxia пока не раскрывает.
Ключевые факты
Память 10-го поколения BiCS FLASH использует 332 слоя и 1-терабитные ячейки TLC
Скорость интерфейса NAND достигает 4,8 Гбит/с
Плотность хранения выросла на 59%, а энергоэффективность чтения и записи, на 30%
Девятое поколение памяти Kioxia использует 120 слоев и 512-гигабитные ячейки